PCB抄板元件封裝術(shù)語大全（上）

　　現(xiàn)在PCB抄板軟件有很多，如PORTEL99，POWERPCB等，但是在PCB抄板繪制元件封裝時，由于我們要抄的PCB板所用的元件封裝不一定和PORTEL99中的元件封裝吻合，所以我們要自己建立元件封裝，即將我們所要繪制的PCB中的元件形狀繪出來，繪制元件封裝時，我們要先統(tǒng)計一下PCB板上用了多少種封裝，每種封裝只需繪好一個，各種封裝都繪好后，就能將其轉(zhuǎn)到PORTEL99里再作加工了。因此，了解PCB抄板元件封裝術(shù)語，成為了專業(yè)抄板工程師必不可少的課程，本文專門為PCB抄板工程師解析了相關(guān)封裝術(shù)語。
　　1、BGA(ballgridarray)
　　球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在也有一些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的外觀檢查。現(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)。
　　2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
　　帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個角設(shè)置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右(見QFP)。
　　3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
　　表面貼裝型PGA的別稱(見表面貼裝型PGA)。
　　4、C－(ceramic)
　　表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經(jīng)常使用的記號。
　　5、Cerdip
　　用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECLRAM，DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在japon，此封裝表示為DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
　　6、Cerquad
　　表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。
　　7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
　　帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
　　8、COB(chiponboard)
　　板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術(shù)。
　　9、LGA(landgridarray)
　　觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現(xiàn)已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用。預(yù)計今后對其需求會有所增加。
　　10、DFP(dualflatpackage)
　　雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。
　　11、DIC(dualin-lineceramicpackage)
　　陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
　　12、DIL(dualin-line)
　　DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
　　13、DIP(dualin-linepackage)
　　雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見cerdip)。
　　14、DSO(dualsmallout-lint)
　　雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。
　　15、DICP(dualtapecarrierpackage)
　　雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB(自動帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在japon，按照EIAJ(japon電子機械工業(yè))會標準規(guī)定，將DICP命名為DTP。
　　16、DIP(dualtapecarrierpackage)
　　同上。japon電子機械工業(yè)會標準對DTCP的命名(見DTCP)。
　　17、FP(flatpackage)
　　扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。
　　18、flip-chip
　　倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區(qū)進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。
　　19、FQFP(finepitchquadflatpackage)
　　小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。
　　20、CPAC(globetoppadarraycarrier)
　　美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。
　　21、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)
　　帶保護環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208左右。
　　22、H-(withheatsink)
　　表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。
　　23、pingridarray(surfacemounttype)
　　表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實用化。
　　24、JLCC(J-leadedchipcarrier)
　　J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。
　　25、LCC(Leadlesschipcarrier)
　　無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C(見QFN)。
　　26、LOC(leadonchip)
　　芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。
　　27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
　　薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是japon電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。
　　28、L－QUAD
　　陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。
　　29、MCM(multi-chipmodule)
　　多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。MCM－D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
　　30、MFP(miniflatpackage)
　　小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱(見SOP和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。
　　31、MQFP(metricquadflatpackage)
　　按照JEDEC(美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會)標準對QFP進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標準QFP(見QFP)。
　　32、MQUAD(metalquad)
　　美國Olin公司開發(fā)的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。japon新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開始生產(chǎn)。
　　33、MSP(minisquarepackage)
　　QFI的別稱(見QFI)，在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI是japon電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。
　　34、OPMAC(overmoldedpadarraycarrier)
　　模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱(見BGA)。
　　35、P－(plastic)
　　表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。

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