化學(xué)鍍銅(Electroless Plating Copper)俗稱(chēng)沉銅。印制電路板孔金屬化技術(shù)是印制電路板制造技術(shù)的關(guān)鍵之一。嚴(yán)格控制孔金屬化質(zhì)量是確保最終產(chǎn)品質(zhì)量的前提，而控制沉銅層的質(zhì)量卻是關(guān)鍵。日常用的試驗(yàn)控制方法如下：
1．化學(xué)沉銅速率的測(cè)定：
使用化學(xué)沉銅鍍液，對(duì)沉銅速率有一定的技術(shù)要求。速率太慢就有可能引起孔壁產(chǎn)生空洞或針孔；而沉銅速率太快，將產(chǎn)生鍍層粗糙。為此，科學(xué)的測(cè)定沉銅速率是控制沉銅質(zhì)量的手段之一。以先靈提供的化學(xué)鍍薄銅為例，簡(jiǎn)介沉銅速率測(cè)定方法：
(1)材料：采用蝕銅后的環(huán)氧基材，尺寸為100×100(mm)。
(2)測(cè)定步驟：
A. 將試樣在120-140℃烘1小時(shí)，然后使用分析天平稱(chēng)重W1(g)；
B. 在350-370克／升鉻酐和208-228毫升／升硫酸混合液（溫度65℃）中腐蝕10分鐘，清水洗凈；
C．在除鉻的廢液中處理(溫度30-40℃)3-5分鐘，洗干凈；
D. 按工藝條件規(guī)定進(jìn)行預(yù)浸、活化、還原液中處理；
E. 在沉銅液中(溫度25℃)沉銅半小時(shí)，清洗干凈；
F. 試件在120-140℃烘1小時(shí)至恒重，稱(chēng)重W2(g)。
(3) 沉銅速率計(jì)算：
速率＝(W2-W1)104／8．93×10×10×0．5×2(μm)
(4) 比較與判斷：
把測(cè)定的結(jié)果與工藝資料提供的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較和判斷。
2．蝕刻液蝕刻速率測(cè)定方法
通孔鍍前，對(duì)銅箔進(jìn)行微蝕處理，使微觀粗化，以增加與沉銅層的結(jié)合力。為確保蝕刻液的穩(wěn)定性和對(duì)銅箔蝕刻的均勻性，需進(jìn)行蝕刻速率的測(cè)定，以確保在工藝規(guī)定的范圍內(nèi)。
(1)材料：0．3mm覆銅箔板，除油、刷板，并切成100×100(mm)；
(2)測(cè)定程序：
A．試樣在雙氧水(80-100克／升)和硫酸(160-210克／升)、溫度30℃腐蝕2分鐘，清洗、去離子水清洗干凈；
B．在120-140℃烘1小時(shí)，恒重后稱(chēng)重W2(g)，試樣在腐蝕前也按此條件恒重稱(chēng)重W1(g)。
(3)蝕刻速率計(jì)算
速率＝(W1-W2)104／2×8．933T(μm／min)
式中：s-試樣面積(cm2) T-蝕刻時(shí)間（min）
(4)判斷：1-2μm/min腐蝕速率為宜。(1.5-5分鐘蝕銅270-540mg)。
3．玻璃布試驗(yàn)方法
在孔金屬化過(guò)程中，活化、沉銅是化學(xué)鍍的關(guān)鍵工序。盡管定性、定量分析離子鈀和還原液可以反映活化還原性能，但可靠性比不上玻璃布試驗(yàn)。在玻璃布沉銅條件最苛刻，最能顯示活化、還原及沉銅液的性能。現(xiàn)簡(jiǎn)介如下：
(1)材料：將玻璃布在10％氫氧化鈉溶液里進(jìn)行脫漿處理。并剪成50×50(mm),四周末端除去一些玻璃絲，使玻璃絲散開(kāi)。
(2)試驗(yàn)步驟：
A．將試樣按沉銅工藝程序進(jìn)行處理；
B. 置入沉銅液中，10秒鐘后玻璃布端頭應(yīng)沉銅完全，呈黑色或黑褐色，2分鐘后全部沉上，3分鐘后銅色加深；對(duì)沉厚銅，10秒鐘后玻璃布端頭必須沉銅完全，30-40秒后，全部沉上銅。
C．判斷：如達(dá)到以上沉銅效果，說(shuō)明活化、還原及沉銅性能好，反則差。
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