IC封裝常識將直接影響到PCB抄板工作的進行，對于一般的PCB抄板工程師來說，在對電路板進行抄板難易鑒定以及封裝器件分析時，需要對PCB電路板上IC封裝有一定的了解，特別是對于一些初涉及PCB抄板的技術人員，對某些專業術語的陌生將可能影響對電路板的技術分析和PCB抄板進程。在此，我們將詳細介紹關于PCB上IC封裝技術的相關行業術語，供PCB抄板或PCB設計工程師參考學習。
　　1、BGA(ball grid array)
　　球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在便攜式電話等設備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。 BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 ， 由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。
　　2、BQFP(quad flat package with bumper)
　　帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。
　　3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。
　　4、C－(ceramic)
　　表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
　　5、Cerdip
　　用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在japon，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
　　6、Cerquad
　　表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
　　7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
　　帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
　　8、COB(chip on board)
　　板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。
　　9、DFP(dual flat package)
　　雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
　　10、DIC(dual in-line ceramic package)
　　陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
　　11、DIL(dual in-line)
　　12、DIP(dual in-line package)
　　雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。
　　DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。
　　引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm
　　和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。
　　13、DSO(dual small out-lint)
　　雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。
　　14、DICP(dual tape carrierpackage)
　　雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機械工業)會標準規定，將DICP 命名為DTP。
　　15、DIP(dual tape carrierpackage)
　　同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。
　　16、FP(flat package)
　　扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。
　　17、flip-chip
　　倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI 芯片的電極區制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。
　　但如果基板的熱膨脹系數與LSI 芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
　　18、FQFP(fine pitch quad flatpackage)
　　小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。
　　19、CPAC(globe top pad arraycarrier)
　　美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。
　　20、CQFP(quad fiat packagewith guard ring)
　　帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變形。
　　在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。這種封裝在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
　　21、H-(with heat sink)
　　表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
　　22、pin grid array(surfacemount type)
　　表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。
　　23、JLCC(J-leaded chipcarrier)
　　J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。
　　24、LCC(Leadless chip carrier)
　　無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
　　25、LGA(land grid array)
　　觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應用于高速邏輯LSI 電路。
　　LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現在基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。
　　26、LOC(lead on chip)
　　芯片上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。
　　27、LQFP(low profile quad flatpackage)
　　薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP
　　外形規格所用的名稱。
　　28、MCM(multi-chip module)
　　多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。
　　MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。
　　MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使
　　用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。
　　MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。
　　布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
　　29、L－QUAD
　　陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。
　　封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳(0.65mm中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產。

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