在2011年的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，海力士、三星和東芝宣布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細(xì)節(jié)。
在一段時間內(nèi)，因?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和固態(tài)存儲等產(chǎn)品市場的強(qiáng)勁需求，NAND閃存廠商一直有著驚人的增長速度。
但是不要看現(xiàn)在，NAND閃存的“派對”可能將要結(jié)束了。海力士、美光、三星和東芝已經(jīng)或者即將建造新的NAND晶圓工廠，此舉可能會導(dǎo)致出產(chǎn)能力過剩和價格下跌。
分析師Jim Handy表示：“我們一直估計下半年（NAND市場）將要崩盤。”
市場需求預(yù)計仍將保持較強(qiáng)水平。Handy在ISSCC大會上表示，NAND均勻銷售價格（ASP）在過去一年中一直保持平穩(wěn)，但是均勻銷售價格預(yù)計將在2011年第四季度“瓦解”。
目前，NAND閃存的每GB售價為1.6美元。到2012年中，這一價格預(yù)計將下降至0.65美元，降幅達(dá)40%。
題目時，即將有太多的工廠產(chǎn)能上線。美光公司正在新加坡興建新的NAND晶圓工廠。東芝公司日前啟動了名為Fab 5的晶圓廠。此外有報道稱三星也將啟用新的名為Line 16的晶圓廠。
與此同時，在ISSCC大會上，東芝和SanDisk提交了一份關(guān)于151平方毫米、64Gb、基于MLC和24nm技術(shù)的設(shè)備材料。
海力士則談到了他們基于該24nm的32Gb MLC產(chǎn)品線。市場領(lǐng)導(dǎo)者三星公司則談到了64Gb、基于27nm的3bpc產(chǎn)品線。
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