PLASMA測(cè)試技術(shù)分析

　　電漿蝕刻為優(yōu)化鉆孔質(zhì)量之重要流程，為了解電漿蝕刻去除孔壁殘膠能力，現(xiàn)進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)：
　　實(shí)驗(yàn)計(jì)劃：PLASMA實(shí)驗(yàn)是針對(duì)多層板清潔孔壁的重要流程，其中重要的影響因素有：
　　a.溫度 b.時(shí)間c.氣體流量d.射頻源功率四個(gè)因素
　　a.對(duì)于溫度：生技部門(mén)有測(cè)試過(guò)條件，溫度達(dá)到225F時(shí)，能最好的溶膠，所以溫度就視為不變因素。
　　b.時(shí)間是對(duì)整個(gè)PLASMA效果影響最大的因素，所以將其視為主要變因來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)，找出最佳作業(yè)條件。
　　c. 射頻源功率(RF POWER)一般為2000，對(duì)試驗(yàn)效果的影響不是很大，所以也視不變因素。
　　d. 氣體流量：主要?dú)怏w有三種CF4，O2和AR，常用的是CF4和O2，其中的AR主要是通過(guò)物理性的攻擊來(lái)清除表面被O2氧化產(chǎn)生的氧化層。

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