跟著電子機器的高速高機能超小型化，封裝技術獲得長足發展。芯片尺寸封裝CSP和BGA封裝向多引線端和窄引線間距方向發展，并且裸芯片(Bare Chip)封裝也已實用化。因為這些封裝技術的提高，對于印刷電路板PWB(Printed Wiring Board)也提出新要求(適應高密度封裝和高速化需求)。
本文列舉NEC公司的“DV Multi”PWB新產品實例，先容超高密度組裝(Buld-up)印刷線路板的出產工藝技術，僅供參考。技術特點 在以往的組裝PWB(DV Multi)基礎上，NEC以用于窄焊盤的全添加工藝(Full-additive process)開發出超高密度組裝PWB新產品。它具備以下獨到的特點：(1)高密度布線 因為精細打孔加工和配準(Registration)工藝技術的提高導致凸緣(Rand)朗可以縮小，從而確保足夠多的布線通道。在此基礎上，利用全添加工藝可使布線精細化大幅度改善布線密度。(2)高機能絕緣樹脂 對應高密度組裝的絕緣樹脂材料具有高Tg化和高彈性模數的寶貴特性，因而抗斷裂能力大為加強。(3)電機能有所改善 因為全添加工藝技術實用化，即使是微細的線間距也可形成矩形斷面的布線線條。由于線的寬度對布線疏密不產生影響，即使是微細的布線也能確保線路所要求的低直流電阻使抗阻控制變得很輕易。
制造工藝 超高密度組裝基板(Substrate)的制造工藝流程如圖1所示，它是以4層結構的基板為基礎，在其上和下兩面各可以再組裝(Build-up)上一層，形成1-4-1結構的斷面。這種4層結構基板，以下簡稱4層板芯。不丟臉出，利用4層板芯組裝成6層PWB是很輕易的（在4層板芯的上、下兩面上各組裝一層即可），組裝多層化PWB也是可實現的。 4層扳芯，顧名思義，它是4層銅布通過層疊熱壓而形成的結構。通過鉆孔加工和電鍍工藝，形成隱埋通孔(Buried Via Hole)，用于4層板芯內部電氣連接。
在隱埋通孔BVH內部充填樹脂，然后對板芯外層的兩面斷布線，請參照圖1①所示結構。對于已形成的4層板芯進行組裝層(Build-up)加工：在4層板芯的兩個外側面上，重疊帶銅箔樹脂片進行熱壓結合，隨后將多余的銅箔蝕刻掉，呈現出如圖l②所示外形。在4層板芯的組裝樹脂層上，利用激光打孔，詳見圖1③所示。然后，在樹脂表面和激光打出的孔里注入催化劑，通過旋轉使之平均分布，呈現圖1⑦所示的樣子容貌。在此基礎上，涂上電鍍光致抗蝕樹脂，通過掩膜曝形成永久性保護層(Per-manet Risits）圖形，詳見圖1⑤所示。最后，在其表面長進行非電解式鍍銅工藝加工，形成所求的布線圖形，參閱圖1⑥所示。以上所述的工藝流程是實現一次組裝層的全部過程，若在此基礎上通過重復實現圖l的工藝過程，即可實現第2次組裝層。經由多次重復上述工藝過程，可在4層板芯基礎上制造出多層化PWB。
以上僅是簡樸地先容出超高密度組裝基板的制造工藝過程，其中最樞紐技術是微細打孔和布線將在下面具體先容。樞紐技術 (1)設計基準 有關超高密度組裝基板的設計基準，如表1所示。其中，DV Multi-HY型PWB主要用于移動電話、手機、數字化攝像機和數碼相機等領域；DV Multi-Mo型PWB主要用于裝配BGA和CSP封裝的LSI電路，因此多為8層PWB，需要兩次組裝工藝才能制成所需要的PWS；關于超高密度BU型PWB，主要用于裝配那些多引線BGA和CSP封裝的LSI電路，它代表PWB的發展方向。 (2)微細打孔加工以往的組合(Build-up)基板，當進行打孔加工時都是使用二氧化碳激光器。但是，利用這種激光器打孔時，最重要的研究課題是打孔的質量不不亂。NEC公司在二氧化碳激光器方面曾作過很多改進工作，諸如像優化激光脈沖或峰值輸出，結合激光的基本波長(10．6μm)配合各種有機材料的吸收波長等改進措施，可實現高效率且保障打孔質量不亂的打孔工藝。但是，也應該看到二氧化碳激光器的局限性：固然它能實現高速加工，但在考慮打孔外形的前提下，它所能加工的打孔直徑限于Φ70μm。
因為今后的超高密度組裝基板打孔加工直徑微細化，必將啟用波長更短的YAG激光器。由于，使用YAG激光器可對直徑為，50μm以下的細小孔進行加工。此外，YAG激光用具備銅墻鐵壁和樹脂所吸收的光譜，它能進行一般打孔和打穿通孔。充分施展YAG激光器這一獨到特性的應用早已很普遍，日本NEC公司把它用于對樹脂材料進行微細打孔，試圖克服其加工速度低的缺點。
有關兩種激光器機能的比較，請參閱表2。另外，二氧化碳激光器用于對樹脂打孔時，存在比較嚴峻的缺點是在打孔的底部輕易泛起殘留樹脂(被激光器照射后的熔融狀態樹脂又重新凝固而殘留在孔底)，它是造成布線連接可靠性下降的原因。然而，利用YAG激光器對樹脂進行打孔時，在孔底不輕易泛起樹脂殘留，可保證布線間連接的可靠住。例如，利用YAG激光器對樹脂進行打孔(孔徑僅為50μm，加工后形成布線連接的斷面結構圖如照片1所示，金屬連接面平滑，無殘留樹脂，確保接十分可靠。 (3)微細布線 在微細布線領域里，作為樞紐性的技術是新開發的全添加(Full-additive)工藝技術。然而，以往的PWB出產工藝都是采用工藝常簡便的削減法(Subtractive)形成布線圖形，即對布線圖形以外的多余銅箔部門一律蝕刻掉而留存所要的布線圖形部門。在全添加法里，首先對包括打孔區域所在的基板材料全面進行催化劑處理，隨后形成電鍍光致抗蝕層。在此基礎上，僅對裸露催化劑部門斷非電解式鍍銅，于是形成所要求的布線圖形。因為采用全添加法工藝，將獲得如下特點(結合參閱圖2所示的斷面圖像)。
▲矩形斷面 利用削減法蝕刻布線的線條時，因為在線條導體則壁形成下坡，給布線導體設計帶來限制。例如，當要求布線導體條寬與布線導體間距分別是L／S=25／25(μm)而且導體厚也為20μm(即布線導體斷面為矩形)時，用削減法幾乎是不可能的。由于蝕刻寬25μm且間距也是25μm的布線導體時，除非布線導厚度控制在10μm以下，否則是蝕刻不出來的。然而，用全添加法工藝時，制造出上述要求的布線導體是游刃有余的。能制造出矩形布線導體斷面結構是全添加法工藝的獨到特點之一（滲閱圖2所示的布線導體斷面）。
▲布線導體寬度不影響布局 利用削減工藝時，因為布線疏密程度不同而直接影響蝕刻機能，結果導致布線導體斷面外形千奇百怪。但是，若利用全添加法工藝，無論布線緊密或松散都能獲得所要求的布線導體斷面積。特別是，對于布線里的電流密度有嚴格的平均一致性要求時，利用全添加法長短常有利的。
▲優良電機能 全添加法工藝同以往的削減法比擬，最大的長處是便于電機能改善。例如，在微細化加工過程中，布線導體寬L和布線導體間距S分別都是25μm的情況下，用削減工藝根本無法增加布線導體的橫斷面積，然而用全添加法卻非常輕易。這就意味著全添加法工藝可以想法降低布線導體的電阻，阻抗控制是很輕易實現的。 ①關于電鍍光致抗蝕層 電鍍光抗蝕材料對于微細布線是不可缺少的重要材料，世界各個半導體廠家都給予高度正視。NEC也不例外，它所開發的電鍍光致抗蝕材料具備如下特點：●對于L／S＝20／20μm的布線有分辨能力；●布線導體高度答應在10μm以上；●作為非電解式鍍銅光致抗蝕材料，具備耐藥液浸蝕性；●曝光后成為永久性材料，適適用作基體材料；●可平均地涂敷，具備良好的涂敷機能。 作為電鍍光致抗蝕劑材料，應當具有高分辨能力的感光性而且需有耐電鍍液的腐蝕性。在全添加法工藝中，由光致抗蝕材料厚度決定出布線導體的厚度。例如，NEC開發的電鍍光致抗蝕樹脂，采用旋轉涂敷(Spin-Coat)法，旨在實現最大涂敷厚度高達20μm。為適應旋轉涂敷工藝要求，對電鍍光致抗蝕樹脂的粘度、表面張力和延展性進行改進，使旋轉涂敷精度達到3μm。 ②曝光系統 與電鍍抗蝕樹脂配套使用的曝光系統，也是NEC自行開發的。通過采用的玻璃掩膜進行曝光，具備很好的掩蔽能力；●利用分步重復式投影曝光設――主要為進步精度而采用分步重復式投影曝光設備，可達到6μm對準精度。利用以對那種總括曝光法，只能達到20μm的對準精度。恰是因為使用這套曝光系統，實現高精度配準，對于通孔凸緣小直徑化作出貢獻。 ③非電解鍍銅 對以往的非電解式鍍銅工藝，進行一系列改進：在使非電解式鍍銅晶界進一步微細化的同時，對電鍍設備的各部門如像輪回系統等進行全面改進。此外，通常在進行非電解式鍍銅工藝之前需要用高錳酸進行預處理，以便令鍍銅表面粗拙化；NEC對這一預處理前提進行化，使鍍銅層的粘附性大增，實測結果可達到 0．8Kg/cm。NEC通過利用 造的布線結構斷面如照片2所示。 （4）微細焊料凸點 超高密度組裝PWB的應用，如前所述，是專門為裝配多引線BGA和CSP封裝LSI電路而開發的，因此，它表面上設置的焊盤必需相應的微型化。利用以往的金屬掩膜成如斯微細的焊盤，相稱難題。為此，NEC專門開發出一種形成微細焊料凸點(Solder Bump)的MAS-A(Micro-Attachment Solution-A)，可使料供給量不亂而且便于功課(請參閱以MAS-A方法形成的焊料Sn-Pb凸點照片3)。
所謂MAS-A法是在PWB表面上形成平均厚度的T-掩膜(Temporary-Mask)，對該掩膜的焊料凸點形成部門開出窗口。開窗口的方法可用激光打孔或用光刻法開孔，定位精度很高，實際證明完全適應200μm以下封裝引線間距的需求。這種新型T-Mask與PWB、表面緊密接觸，確保T-Mask同PWB接壤面不會受到焊料膏的污染而且充分為窄間距焊盤供給焊料膏。因為可進步T-Mask厚度的精確度，為焊盤供給的焊膏量也獲得嚴格控制。更重要的是利用T-Mask形成Sn-Ag之類的無鉛焊料凸點，獲得令人滿足的結果。
小結 超高密度組裝PWB技術是最新的實用技術，完全適合裝配CSP封裝結構的LSI電路，應該給予高度正視。
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