對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki以為傳統的CMOS制造工藝方法己不再合用。由于當器件的尺寸持續縮小時，因為己達極限很多缺陷顯現。按IBM技術經理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有難題。另外，除非采用其它方法，由于跟著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰。
對于存儲器也面對若干挑戰，三星的半導體研發中央總經理Minam Kim以為目前DRAM已達3xnm，及NAND已達2xnm，因而相對而言，NAND面對更大的挑戰。
在今年SEMICON West上將舉辦兩小時討論會，其中前一個小時討論提高前輩邏輯工藝中有關材料與工藝的發展，而另一小時討論下一代存儲器。
在邏輯電路部門，演講者將提出未來邏輯器件的方向：三維器件結構，如FinFET及多柵MugFETs，以及基于超薄襯底SOI(UTB-SOI)的全阻擋層平面晶體管。第三位的演講是異質結構IC，即從硅溝道移向鍺及III-V族材料。
垂直型晶體管提供更佳的功能及良好的靜電控制，顯然制造工藝面對挑戰。避免過量的從鰭的底到鰭的頂之間鰭的寬度變化是個挫折。另外如何找到接觸的引出點也是難題，最后從技術角度必需把垂直器件的stressors考慮進去。
基于超薄SOI(絕緣體上半導體)襯底結構的晶體管有上風，同樣面對挑戰，將由法國電子與通信技術(leti)的 CEA 研究中央的TechXPOT專家來主導討論。Leti己有講演在6nm有效硅層上，與頂上有10nm埋層氧化層(BOX)做出高機能的晶體管。題目是在如斯薄層的硅片是否能夠提供相容的材料厚度和可接受的硅片本錢。
存儲器制造商同樣面對它自已的題目。研究職員正提出多種方法來解決本日電荷型存儲器，包括設計及利用各種新的材料。一種叫電阻 RAMs(ReRAMs)，它是利用脈沖電壓加到金屬氧化層上通過電流的改變而導致材料電阻的差異，
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